基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征

书籍简介:

本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料—氧化镓的基本性质；全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手，详细论述了氧化镓生长质量的影响因素；论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制；论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。

书籍规格:

书籍信息归属:

基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征是华中科技大学出版社于2020.1出版的中图分类号为 TN304.055 的主题关于 半导体薄膜技术－研究－英文 的书籍。