功率半导体器件电场优化技术

功率半导体器件电场优化技术

张波, 罗小蓉, 李肇基, 著

出版社:电子科技大学出版社

年代:2015

定价:68.0

书籍简介:

本书分为七章,第一章为前言;第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术;第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造;第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术,并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高压器件新结构和耐压机理:电荷型SOI高压器件,低K型SOI高压器件,薄硅层SOI高压器件;推导获得新型SOI器件的耐压模型;给出研制步骤并分析实验结果。第五章详细介绍硅基高压器件体内场降低技术,并讨论系列新型REBULF高压器件的机理和设计方法,给出研制方法和实验结果。第六章阐述功率半导体器件发展。第七章结束语。

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9787564732622
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出版地成都出版单位电子科技大学出版社
版次1版印次1
定价(元)68.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

功率半导体器件电场优化技术是电子科技大学出版社于2015.12出版的中图分类号为 TN303 的主题关于 功率半导体器件-电场-信息技术 的书籍。