深亚微米CMOS模拟集成电路设计

深亚微米CMOS模拟集成电路设计

(美) 宋邦燮, 著

出版社:科学出版社

年代:2013

定价:58.0

书籍简介:

本书介绍在深亚微米工艺下如何设计高性能CMOS模拟集成电路。与之前许多讲述模拟集成电路设计的论著不同,本书不再将重点放在晶体管级电路的分析和推导上,而是着重介绍常用电路模块如数据转换器、锁相环中需要考虑的问题以及解决办法,涉及的电路层次和设计方法更高。本书内容涉及放大器、数据转换器、锁相环和时钟恢复电路等常用模块,在叙述上力求用浅显的语言讲清各种电路技术的本质。

作者介绍:

宋邦燮(Bang-Sup Song)博士,1973年获首尔国立大学(Seoul National University)学士学位,1975年获韩国科学技术院(Korea Advanced Institute of Science)硕士学位,1983年获加州大学伯克利分校博士学位。1975年至1978年,供职于韩国国防科学研究所(Agency for Defense Development,Korea)。1983年至1986年,供职于新泽西州默里山AT&T贝尔实验室,同时任新泽西州罗格斯大学电子工程系访问学者。1986年至1999年,任厄巴纳伊利诺伊大学电子和计算机工程系以及协同科学实验室(Coordinated Science Laboratory)教授。1999年,进入加州大学圣地亚哥分校电子和计算机工程系,被授予无线通信领域Charles Lee Powell讲席教授职位。   宋博士于1986年获AT &-T贝尔实验室Distinguished Technical Staff奖,1987年获模拟器件公司Career Development Professor奖,1995年获伊利诺伊大学Xerox Senior Faculty Research奖。宋博士在美国电气电子工程师协会(IEEE)的学术兼职包括IEEE固态电路杂志(JSSC)、IEEE电路与系统杂志(TCAS)副主编,国际固态电路会议(ISSCC)、国际电路与系统年会(ISCAS)组委会成员。宋博士是美国电气电子工程师学会院士(IEEE Fellow)。

书籍目录:

第1章 放大器基础

1.1 激励点和传递函数

1.2 频率响应

1.3 稳定性判据

1.4 运算放大器用于负反馈

1.5 相位裕度

1.6 瞬态响应

1.7 反馈放大器

1.8 反馈的作用

1.9 左半平面和右半平面零点

1.10 反馈放大器的稳定性

第2章 放大器的设计

2.1 晶体管的低频抽象模型

2.1.1 大信号

2.1.2 小信号

2.1.3 跨导g。和输出电阻

2.1.4 小信号模型

2.1.5 体效应

2.2 低频激励点电阻

2.3 电阻反射定律

2.4 三种基本放大器组态

2.5 九种组合放大器

2.5.1 共源一共源结构

2.5.2 共源一共栅结构

2.5.3 共源一共漏结构

2.5.4 共栅一共源、共栅一共栅、共栅一共漏结构

2.5.5 共漏一共源结构

2.5.6 共漏一共栅结构

2.5.7 共漏一共漏结构

2.6 差分对

2.6.1 共模抑制

2.6.2 对称的传递函数

2.7 增益自举

2.7.1 零极点对的约束

2.7.2 其他增益自举的概念

2.8 偏置

2.8.1 最大化信号摆幅的套筒结构的偏置

2.8.2 电流源的匹配

2.9 电压源和电流源

2.9.1 以Vcs和AVGs为参考的电流源

2.9.2 带隙参考

参考文献

第3章 运算放大器

3.1 运算放大器的小信号模型

3.2 运算放大器的频率补偿

3.2.1 并联补偿

3.2.2 极点分裂米勒补偿

3.3 两级米勒补偿运算放大器的相位裕度

3.4 两级运算放大器右半平面零点的消除技术

3.4.1 插入串联电阻

3.4.2 利用源极跟随器形成反馈

3.4.3 利用附加的增益级对Gm自举

3.5 负反馈运算放大器的瞬态响应

3.5.1 压摆率

3.5.2 全功率带宽

3.6 运算放大器设计举例

3.6.1 三级套筒式运算放大器

……

第4章 数据转换器基础

第5章 奈奎斯特数据转换器

第6章 过采样数据转换器

第7章 高精度数据转换器

第8章 锁相环基础

第9章 频率综合和时钟恢复

内容摘要:

《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计,首先介绍双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的抽象模型,然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括:运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。
  《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》可以作为工科院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书,也可以供半导体和集成电路设计领域技术人员阅读。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787030392176
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出版地北京出版单位科学出版社
版次1版印次1
定价(元)58.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧平装
页数 366 印数

书籍信息归属:

深亚微米CMOS模拟集成电路设计是科学出版社于2014.1出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 CMOS电路-模拟集成电路-电路设计 的书籍。