出版社:哈尔滨工业大学出版社
年代:2013
定价:150.0
本手册内容涉及:四面体键的化合物特性的实验数据,三、四、五、六族元素特性的实验数据,各族元素的二元化合物特性的实验数据,各族元素的三元化合物特性的实验数据以及硼,过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据等主要方面,以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂志和缺陷等。对于必要的背景知识和近期的发展均有较为完整和详细的阐述,适合不同层次的群体用于学习和研究。其中F部分由于数据量较大,附有光盘。本册10章包括四面体键的元素和化合物。
A Introduction
General remarks to the structure of this volume
2 Physical quantities tabulated in this volume
B Tetrahedrally bonded elements and compounds
1 Elements of the IVth group and IV-IV compounds
1.0 Crystal structure and electronic structure
1.1 Diamond (C)
1.2 Silicon (Si)
1.3 Gcrmanium (Ge)
1.4 Grey tin (a-Sn)
1.5 Silicon carbide (SiC)
1.6 Silicon germanium mixed crystals ( SixGe 1-x)
2 III-V compounds
2.0 Crystal structure and electronic structure
2.1 Boron nitride (BN)
2.2 Boron phosphide (BP)
2.3 Boron arsenide (BAs)
2.4 Boron antimonide (BSb)
2.5 Aluminumnitride(AIN)
2.6 Aluminum phosphide (AIP)
2.7 Aluminumarsenide (AIAs)
2.8 Aluminum antimonide (AISb)
2.9 Gallium nitride (GaN)
2.10 Gallium phosphide (GaP)
2.11 Gallium arsenide (GaAs)
2.12 Gallium antimonide (GaSb)
2.13 Indium nitride (InN)
2.14 Indiumphosphide (InP)
2.15 Indium arsenide (InAs)
2.16 Indium antimonide (InSb)
2.17 Ternary alloys lattice matched to binary III-V compounds
2.18 Quaternary alloys lattice matched to binary III-V compounds
3 II-VI compounds
3.0 Crystal structure and electronic structure
3.1 Beryllium oxide (Be0)
3.2 Beryllium sulfide (BeS)
3.3 Beryllium selenide (BeSe)
3.4 Beryllium telluride (BeTe)
3.5 Magnesium oxide (Mg0)
3.6 Magnesium sulfide (MgS)
3.7 Magnesium selenide (MgSe)
3.8 Magnesium telluride (MgTe)
3.9 Calcium oxide (Ca0)
3.10 Strontium oxide (Sr0)
3.11 Barium oxide (Ba0)
3.12 Zinc oxide (Zn0)
3.13 Zinc sulfide (ZnS)
3.14 Zinc selenide (ZnSe)
3.15 Zinc telluride (ZnTe)
3.16 Cadmium oxide (Cd0)
3.17 Cadmium sulfide (CdS)
3.18 Cadmium selenide (CdSe)
3.19 Cadmium telluride (CdTe)
3.20 Mercury oxide (Hg0)
3.21 Mercury sulfide (HgS)
3.22 Mercury selenide (HgSe)
3.23 Mercury telluride (HgTe)
4 I-VII compounds
4.0 Crystal structure and electronic structure
4.1 Cuprous fluoride (CuF)
4.2 Cuprous chloride (-{-CuCl)
4.3 Cuprous bromide (y-CuBr)
4.4 Cuprous iodide (γ-Cul)
4.5 Silver fluoride (AgF).,
4.6 Silver chloride (AgCl)
4.7 Silver bromide (AgBr)
4.8 Silver iodide (Agl)
……
5 Ⅲ2-Ⅵ3 compounds
6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 compounds(included are I-Fe-VI2 compounds)
7 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2 compounds
8 12-Ⅳ-Ⅵ3 compounds
9 13-Ⅴ-Ⅵ4 compounds
《Springer手册精选原版系列:半导体数据手册(上册 第2册)》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书,适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生,以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括:四面体键元素及其化合物特性的实验数据(B);III、V、VI族元素特性的实验数据(C);各族元素的二元化合物特性的实验数据(D);各族元素的三元化合物特性的实验数据(E);硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据(F);以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。
书籍详细信息 | |||
书名 | 半导体数据手册站内查询相似图书 | ||
9787560345147 如需购买下载《半导体数据手册》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 哈尔滨 | 出版单位 | 哈尔滨工业大学出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 150.0 | 语种 | 英文 |
尺寸 | 23 × 19 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |
半导体数据手册是哈尔滨工业大学出版社于2014.1出版的中图分类号为 TN304-62 的主题关于 半导体材料-手册-英文 的书籍。