出版社:中国原子能出版社
年代:2017
定价:25.0
本书的第一、二章涉及InN材料的基本性质、InN材料的应用及进展、制备InN薄膜的设备及样品表征方法等基础知识,也包含本书中的主要研究内容及完成主要研究内容所用分子束外延(MBE)、磁控溅射等设备的介绍及材料与器件的表征测试方法和仪器的介绍。第三章涉及磁控溅射方法制备NiO薄膜及其性能研究。第四章涉及InN外延层上NiO材料的制备及其特性研究。第五章主要涉及n—InN/p—NiO异质结器件的制备及其特性研究,该部分n—InN/p—NiO异质结器件性质在相关的光电器件中的应用有自己的特色和见解。
书籍详细信息 | |||
书名 | InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究站内查询相似图书 | ||
9787502283100 如需购买下载《InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 北京 | 出版单位 | 中国原子能出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 25.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
页数 | 114 | 印数 | 200 |