InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究

InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究

赵洋, 著

出版社:中国原子能出版社

年代:2017

定价:25.0

书籍简介:

本书的第一、二章涉及InN材料的基本性质、InN材料的应用及进展、制备InN薄膜的设备及样品表征方法等基础知识,也包含本书中的主要研究内容及完成主要研究内容所用分子束外延(MBE)、磁控溅射等设备的介绍及材料与器件的表征测试方法和仪器的介绍。第三章涉及磁控溅射方法制备NiO薄膜及其性能研究。第四章涉及InN外延层上NiO材料的制备及其特性研究。第五章主要涉及n—InN/p—NiO异质结器件的制备及其特性研究,该部分n—InN/p—NiO异质结器件性质在相关的光电器件中的应用有自己的特色和见解。

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书籍详细信息
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9787502283100
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出版地北京出版单位中国原子能出版社
版次1版印次1
定价(元)25.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧平装
页数 114 印数 200

书籍信息归属:

InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究是中国原子能出版社于2017.7出版的中图分类号为 O484 的主题关于 半导体膜-研究 的书籍。