微电子器件基础

微电子器件基础

曾云, 著

出版社:湖南大学出版社

年代:2005

定价:

书籍简介:

本书主要介绍PN结二极管、结型晶体管、MOS场效应晶体三种基本微电子器件的原理、特性,还简要介绍了一些有代表性的其它微电子器件。

作者介绍:

曾云,男,1956年8月出生,湖南芷江人,教授,教育部电子科学与技术教学指导委员会委员,湖南大学微电子研究所所长。主要从事新型和高,性能电子器件和电子器件与集成电路应用方面的教学与研究工作,承担或完成纵、横向科研课题20余项,在国内外学术刊物和国际学术会议

书籍目录:

第1章 PN结二极管 第1节 PN结杂质浓度分布  1 突变结  2 缓变结 第2节 平衡PN结  1 空间电荷区  2 能带图  3 接触电势差  4 载流子浓度 第3节 PN结空间电荷区电场和电位分布  1 突变结  2 线性缓变结  3 耗尽层近似讨论 第4节 PN结势垒电容  1 突变结势垒电容

第1章 PN结二极管 第1节 PN结杂质浓度分布  1 突变结  2 缓变结 第2节 平衡PN结  1 空间电荷区  2 能带图  3 接触电势差  4 载流子浓度 第3节 PN结空间电荷区电场和电位分布  1 突变结  2 线性缓变结  3 耗尽层近似讨论 第4节 PN结势垒电容  1 突变结势垒电容  2 线性缓变结势垒电容 第5节 PN结直流特性  1 PN结非平衡载流子注入  2 PN结反向抽取  3 准费米能级和载流子浓度  4 直流电流电压方程  5 影响PN结直流特性的其他因素  6 温度对PN结电流电压的影响 第6节 PN结小信号交流特性与开关特性  1 小信号交流特性  2 开关特性 第7节 PN结击穿特性  1 基本击穿机构  2 雪崩击穿电压  3 影响雪崩击穿电压的因素  习题一第2章 特殊二极管 第1节 变容二极管  1 PN结电容和变容二极管  2 电容电压特性  3 变容二极管基本特性  4 特殊变容二极管 第2节 隧道二极管  1 隧道过程的定性分析  2 隧道几率和隧道电流  3 等效电路及特性  4 反向二极管 第3节 雪崩二极管  1 崩越二极管工作原理  2 崩越二极管的特性  3 几种崩越二极管  4 俘越二极管  5 势越二极管  习题二第3章 晶体管的直流特性 第1节 晶体管基本结构与放大机理  1 晶体管结构与杂质分布  2 晶体管放大机理 第2节 晶体管直流电流电压方程  1 均匀基区晶体管  2 缓变基区晶体管 第3节 晶体管电流放大系数与特性曲线  1 电流放大系数  2 特性曲线  3 电流放大系数理论分析  4 影响电流放大系数的其他因素 第4节 晶体管反向电流与击穿电压  1 晶体管反向电流  2 晶体管击穿电压 第5节 晶体管基极电阻  1 梳状晶体管基极电阻  2 圆形晶体管基极电阻 习题三第4章 晶体管频率特性与开关特性第5章 晶体管的功率特性第6章 晶闸管第7章 MOS场效应晶体管第8章 光电器件与电荷耦合器件附录参考文献

内容摘要:

本书是作者在十余年讲授《微电子器件基础》课程的基础上总结、修订、补充而编著的,是作者多年授课经验和从事相关科研工作成果的总结。书中重点介绍PN结二极管、结型晶体管和MOS场效应晶体管这三种基本微电子器件的工作原理和基本特性,并阐述器件特性与结构、材料与工艺参数之间的依赖关系。书中还简要介绍了一些代表性的其他器件如特殊二极管、晶闸管、光电器件和电荷耦合器件等。  本书可作为大学本科相关课程的教材,也可供微电子领域的科技及相关专业人员参考。

编辑推荐:


  本书是作者在十余年讲授《微电子器件基础》课程的基础上总结、修订、补充而编著的,是作者多年授课经验和从事相关科研工作成果的总结。书中重点介绍PN结二极管、结型晶体管和MOS场效应晶体管这三种基本微电子器件的工作原理和基本特性,并阐述器件特性与结构、材料与工艺参数之间的依赖关系。书中还简要介绍了一些代表性的其他器件如特殊二极管、晶闸管、光电器件和电荷耦合器件等。  本书可作为大学本科相关课程的教材,也可供微电子领域的科技及相关专业人员参考。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787810539999
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出版地长沙出版单位湖南大学出版社
版次1版印次1
定价(元)语种简体中文
尺寸装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

微电子器件基础是湖南大学出版社于2005.11出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 微电子技术-电子器件 的书籍。