出版社：中国石化出版社
年代：2020
定价：65.0
本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；最后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术站内查询相似图书 | ||
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| 出版地 | 北京 | 出版单位 | 中国石化出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 65.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术是中国石化出版社于2020.5出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 应变－硅－纳米材料－微电子技术－电子器件－辐射 ,应变－硅－纳米材料－微电子技术－电子器件－加固 的书籍。