应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术

应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术

郝敏如, 著

出版社:中国石化出版社

年代:2020

定价:65.0

书籍简介:

本书首先阐述应变Si技术的优势,研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制,详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理;其次,建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系,及栅隧穿及热载流子栅电流模型;最后,研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究,并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。本书适用于可靠性方向工作者,尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。

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9787511457936
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出版地北京出版单位中国石化出版社
版次1版印次1
定价(元)65.0语种简体中文
尺寸24 × 17装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术是中国石化出版社于2020.5出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-辐射 ,应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-加固 的书籍。