半导体物理学

第1章 半导体中的电子状态1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1.1 金刚石型结构和共价键 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键 1.1.3 纤锌矿型结构1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带1.3 导体中电子的运动 有效质量 1.3.1 半导体中E(k)与k 的关系 1.3.2 半导体中电子的平均速度 1.3.3 半导体中电子的加速度 1.3.4 有效质量的意义1.4 本征半导体的导电机构 空穴1.5 回旋共振 1.5.1 k 空间等能面 1.5.2 回旋共振1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅和锗的导带结构 1.6.2 硅和锗的价带结构1.7 ⅢⅤ族化合物半导体的能带结构 1.7.1 锑化铟的能带结构 1.7.2 砷化镓的能带结构 1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构 1.7.4 混合晶体的能带结构1.8 ⅡⅥ族化合物半导体的能带结构 1.8.1 二元化物的能带结构 1.8.2 混合晶体的能带结构1.9 Si1-xGex合金的能带1.10 宽禁带半导体材料 1.10.1 GaN、AlN的晶格结构和能带 1.10.2 SiC的晶格结构与能带习题参考资料第2章 半导体中杂质和缺陷能级2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 2.1.2 施主杂质、施主能级 2.1.3 受主杂质、受主能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1.5 杂质的补偿作用 2.1.6 深能级杂质2.2 ⅢⅤ族化合物中的杂质能级2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级2.4 缺陷、位错能级 2.4.1 点缺陷 2.4.2 位错习题参考资料第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度 3.1.1 空间中量子态的分布 3.1.2 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数 3.2.2 玻耳曼分布函数 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 3.2.4 载流子浓度乘积n０p０3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴 3.4.2 n型半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子统计分布3.6 简并半导体 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 3.6.2 简并化条件 3.6.3 低温载流子冻析效应 3.6.4 禁带变窄效应*3.7 电子占据杂质能级的概率 3.7.1 电子占据杂质能级概率的讨论 3.7.2 求解统计分布函数习题参考资料第4章 半导体的导电性4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.1.1 欧姆定律 4.1.2 漂移速度和迁移率 4.1.3 半导体的电导率和迁移率4.2 载流子的散射 4.2.1 载流子散射的概念 4.2.2 半导体的主要散射机构4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系 4.4.2 电阻率随温度的变化4.5 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论 4.5.1 玻耳兹曼方程 4.5.2 弛豫时间近似 4.5.3 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解 4.5.4 球形等能面半导体的电导率4.6 强电场下的效应、热载流子 4.6.1 欧姆定律的偏离 4.6.2 平均漂移速度与电场强度的关系4.7 多能谷散射、耿氏效应 4.7.1 多能谷散射、体内负微分电导 4.7.2 高场畴区及耿氏振荡习题参考资料第5章 非平衡载流子5.1 非平衡载流子的注入与复合5.2 非平衡载流子的寿命5.3 准费米能级5.4 复合理论 5.4.1 直接复合 5.4.2 间接复合 5.4.3 表面复合 5.4.4 俄歇复合5.5 陷阱效应5.6 载流子的扩散运动5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式5.8 连续性方程式5.9 硅的少数载流子寿命与扩散长度参考资料第6章 pn结6.1 pn结及其能带图6.1.1 pn结的形成和杂质分布 6.1.2 空间电荷区 6.1.3 pn结能带图 6.1.4 pn结接触电势差 6.1.5 pn结的载流子分布6.2 pn结电流电压特性 6.2.1 非平衡状态下的pn结 6.2.2 理想pn结模型及其电流电压方程 6.2.3 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素6.3 pn结电容 6.3.1 pn结电容的来源 6.3.2 突变结的势垒电容 6.3.3 线性缓变结的势垒电容 6.3.4 扩散电容6.4 pn结击穿 6.4.1 雪崩击穿 6.4.2 隧道击穿(齐纳击穿) 6.4.3 热电击穿6.5 pn结隧道效应习题参考资料第7章 金属和半导体的接触7.1 金属半导体接触及其能级图 7.1.1 金属和半导体的功函数 7.1.2 接触电势差 7.1.3 表面态对接触势垒的影响7.2 金属半导体接触整流理论 7.2.1 扩散理论 7.2.2 热电子发射理论 7.2.3 镜像力和隧道效应的影响 7.2.4 肖特基势垒二极管7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 7.3.1 少数载流子的注入 7.3.2 欧姆接触参考资料第8章 半导体表面与MIS结构8.1 表面态8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层及表面势 8.2.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容8.3 MIS结构的CV特性 8.3.1 理想MIS结构的CV特性 8.3.2 金属与半导体功函数差对MIS结构CV特性的影响 8.3.3 绝缘层中电荷对MIS结构CV特性的影响8.4 硅—二氧化硅系统的性质 8.4.1 二氧化硅中的可动离子 8.4.2 二氧化硅层中的固定表面电荷 8.4.3 在硅—二氧化硅界面处的快界面态 8.4.4 二氧化硅中的陷阱电荷8.5 表面电导及迁移率 8.5.1 表面电导 8.5.2 表面载流子的有效迁移率8.6 表面电场对pn结特性的影响 8.6.1 表面电场作用下pn结的能带图 8.6.2 表面电场作用下pn结的反向电流 8.6.3 表面电场对pn结击穿特性的影响 8.6.4 表面纯化习题参考资料第9章 半导体异质结构9.1 半导体异质结及能带图 9.1.1 半导体异质结的能带图 9.1.2 突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度 9.1.3 突变反型异质结的势垒电容 9.1.4 突变同型异质结的若干公式9.2 半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性 9.2.1 突变异质pn结的电流—电压特性 9.2.2 异质pn结的注入特性9.3 半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性 9.3.1 半导体调制掺杂质结构界面量子阱 9.3.2 双异质结间的单量子阱结构 9.3.3 双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应9.4 半导体应变异质结构 9.4.1 应变异质结 9.4.2 应变异质结构中应变层材料能带的改性9.5 GaN基半导体异质结构 9.5.1 GaN,AlGaN和InGaN的极化效应 9.5.2 AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的形成 9.5.3 InxGa1-xN/GaN异质结构9.6 半导体超晶格习题参考资料第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象10.1 半导体的光学常数 10.1.1 折射率和吸收系数 10.1.2 反射系数和透射系数10.2 半导体的光吸收 10.2.1 本征吸收 10.2.2 直接跃迁和间接跃迁 10.2.3 其他吸收过程10.3 半导体的光电导 10.3.1 附加电导率 10.3.2 定态光电导及其弛豫过程 10.3.3 光电导灵敏度及光电导增益 10.3.4 复合和陷阱效应对光电导的影响 10.3.5 本征光电导的光谱分布 10.3.6 杂质光电导10.4 半导体的光生伏特效应 10.4.1 pn结的光生伏特效应 10.4.2 光电池的电流电压特性 10.5.1 辐射跃迁 10.5.2 发光效率 10.5.3 电致发光激发机构10.6 半导体激光 10.6.1 自发辐射和受激辐射 10.6.2 分布反转 10.6.3 pn结激光器原理 10.6.4 激光材料10.7 半导体异质结在光电子器件中的应用 10.7.1 单异质结激光器 10.7.2 双异质结激光器 10.7.3 大光学腔激光器习题参考资料第11章 半导体的热电性质11.1 热电效应的一般描述 11.1.1 塞克效应 11.1.2 珀耳帖效应 11.1.3 汤姆逊效应 11.1.4 塞贝克系数、珀耳帖系数和汤姆逊系数间的关系11.2 半导体的温差电动势率 11.2.1 一种载流子的热力学温差电动势率 11.2.2 两种载流子的热力学温差电动势率 11.2.3 两种材料的温差电动势率11.3 半导体的珀耳帖效应11.4 半导体的汤姆逊效应11.5 半导体的热导率 11.5.1 载流子对热导率的贡献 11.5.2 声子对热导率的贡献11.6 半导体热电效应的应用习题参考资料第12章 半导体磁和压阻效应12.1 霍耳效应 12.1.1 一种载流子的霍耳效应 12.1.2 载流子在电磁场中的运动 12.1.3 两种载流子的霍耳效应 12.1.4 霍耳效应的应用12.2 磁阻效应 12.2.1 物理磁阻效应 12.2.2 几何磁阻效应 12.2.3 磁阻效应的应用12.3 磁光效应 12.3.1 朗道(Landau)能级 12.3.2 带间磁光吸收12.4 量子化霍耳效应12.5 热磁效应 12.5.1 爱廷豪森效应 12.5.2 能斯脱效应 12.5.3 里纪勒杜克效应12.6 光磁电效应 12.6.1 光扩散电势差 12.6.2 光磁电效应12.7 压阻效应 12.7.1 压阻系数 12.7.2 液体静压强作用下的效应 12.7.3 单轴拉伸或压缩下的效应 12.7.4 压阻效应的应用习题参考资料第13章 非晶态半导体13.1 非晶态半导体的结构13.2 非晶态半导体中的电子态 13.2.1 无序体系中电子态定域化 13.2.2 迁移率边 13.2.3 非晶态半导体的能带模型 13.2.4 非晶态半导体的化学键结构13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应 13.3.1 四面体结构非晶态半导体中的缺陷和隙态 13.3.2 硫系非晶态半导体的缺陷与缺陷定域态 13.3.3 Ⅳ族元素非晶态半导体的掺杂效应13.4 非晶态半导体的电学性质 13.4.1 非晶态半导体的导电机理 13.4.2 非晶态半导体的漂移迁移率 13.4.3 非晶态半导体的弥散输运过程13.5 非晶态半导体中的光学性质 13.5.1 非晶态半导体的光吸收 13.5.2 非晶态半导体的光电导13.6 aSi∶H的pn结与金—半接触特性参考资料附录A 常用物理常数和能量表达变换表附录B 半导体材料物理性质表主要参数符号表参考资料

　　本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。　　本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。