ESD射频技术与电路

第1章　射频设计和ESD　1.1　ESD设计的基本概念　1.2　射频ESD的基本概念　1.3　射频ESD的主要成果　1.4　射频ESD的关键专利　1.5　ESD失效机制　　1.5.1　射频CMOS　ESD失效机制　　1.5.2　锗硅器件的ESD失效机制　　1.5.3　硅锗碳器件的ESD失效机制　　1.5.4　砷化镓技术ESD失效机制　　1.5.5　铟镓砷ESD失效机制　　1.5.6　射频双极型电路ESD失效机制　1.6　射频基础　1.7　双端口网络参数　　1.7.1　Z参数　　1.7.2　Y参数　　1.7.3　S参数　　1.7.4　T参数　1.8　稳定性：射频设计稳定性与ESD　1.9　器件性能退化和ESD失效　　1.9.1　ESD导致的直流参数漂移和失效标准　　1.9.2　射频参数、ESD退化以及失效标准　1.10　射频ESD测试　　1.10.1　ESD测试模型　　1.10.2　射频最大功率失效和ESD脉冲测试方法　　1.10.3　ESD导致的射频退化和S参数评估测试方法　1.11　ESD测试中时域反射计（TDR）和阻抗方法学　　1.11.1　时域反射（TDR）ESD测试系统评估　　1.11.2　ESD退化系统级方法——眼图测试　1.12　产品级ESD测试和射频功能性参数失效　1.13　组合射频和ESD　TLP测试系统　1.14　小结　习题　参考文献第2章　射频ESD设计　2.1　ESD设计方法：理想ESD网络和射频ESD设计窗口　　2.1.1　理想ESD网络和电流-电压直流设计窗口　　2.1.2　理想ESD网络频域设计窗口　2.2　射频ESD设计方法：线性法　2.3　射频ESD设：无源元件品质因数和品质因素　2.4　射频ESD设计方法：替代法　　2.4.1　无源器件替代ESD网络器件法　　2.4.2　ESD网络元件替代为无源元件　2.5　射频ESD设计方法：匹配网络和射频ESD网络　　2.5.1　射频ESD方法：匹配网络转换为ESD网络　　2.5.2　射频ESD方法：ESD网络转换为匹配网络　2.6　射频ESD设计方法：电感分流器　2.7　射频ESD　设计方法：消除法　　2.7.1　品质因数和消除法　　2.7.2　电容负载的感性消除和FOM　　2.7.3　消除法和ESD电路2.8　射频ESD设计方法：利用LC共振的阻抗隔离技术　2.9　射频ESD设计方法：集总与分布式负载　　2.9.1　射频ESD共面波导的分布负载　　2.9.2　利用ABCD　矩阵进行射频ESD共面波导分布负载分析　2.10　ESD射频设计综合和平面图：射频、模拟和数字综合　　2.10.1　同一区域ESD电源钳位（Power　Clamp）的布置　　2.10.2　电源线的结构和ESD设计综合　　2.10.3　VDD到VSS电源线的保护　　2.10.4　VDD到模拟VDD和VDD到射频VCC的保护　　2.10.5　内部ESD　保护网络　2.11ESD电路和射频焊盘整合　2.12　键合线焊盘下的ESD结构　2.13　小结　习题　参考文献第3章　射频CMOS和ESD第4章　射频CMOS　ESD网络第5章　双极型晶体管物理特性第6章　锗硅和ESD第7章　砷化镓工艺中的ESD第8章　双极型晶体管接收机电路与ESD网络第9章　射频和ESD计算机辅助设计第10章　可替代ESD概念：片上和片外ESD保护解决方案参考文献名词术语

　　本书是Steven H. Voldman教授所著的《ESD RF Technology andCircuits》的中文翻译版，全书系统地介绍了射频ESD设计的基础知识及概念；射频ESD设计合成及方法论的细节，如代换、消除等射频ESD设计方法和阻抗隔离等ESD技术；RFCMOS ESD 保护元件，并分别从射频和ESD的角度对静电防护策略上的异同进行了比较；RFCMOS静电防护电路；ESD和双极工艺；锗硅半导体、碳锗硅和静电防护；砷化镓、铟镓砷及其静电防护技术；双极路及其静电防护；静电防护设计方法；非半导体类的静电防护解决方案以及芯片外的静电保护技术与观念。