出版社：西南交通大学出版社
年代：2017
定价：48.0
本书为学术著作，围绕制备和表征硅纳米晶的方法展开研究。研究了硅纳米晶电致发光的机理，得出其发光机理与小尺寸的硅纳米晶有关；研究了界面效应对硅纳米晶发光的影响，为提高硅纳米晶的发光强度提供了理论依据。然后从硅纳米晶的发光机理出发，研究了场效应和表面等离子体两种方法如何提高硅纳米晶的电致发光强度。由于采用反应蒸发方法制备的硅纳米晶的密度相对较低，不利于硅纳米晶的发光增强，因此，本书还初步研究了量产硅量子点的制备方法及其发光谱。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 硅纳米晶发光增强研究站内查询相似图书 | ||
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| 出版地 | 成都 | 出版单位 | 西南交通大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 48.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 23 × 17 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
硅纳米晶发光增强研究是西南交通大学出版社于2017.5出版的中图分类号为 TB383 的主题关于 硅－晶体－纳米材料－发光强度－研究 的书籍。