出版社：上海科学技术出版社
年代：2011
定价：40.0
本书系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗﹑氧化﹑扩散﹑离子注入﹑外延﹑化学气相淀积﹑光刻与腐蚀/刻蚀﹑金属化与多层布线﹑表面钝化以及工艺集成制造技术。前面1～10章, 一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程是由依一定次序的各工序所组成，而工序是由各工步所构成来实现，而工步中的各种工艺是由其规范来确定，工艺规范是由其规范号和和工艺序号（i）得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面1～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。11～13章将介绍CMOS和LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程，并与工艺制程的剖面结构相对应。
第1章 硅衬底与清洗 1．1 硅晶圆 1．2 P型硅衬底 1．3 N型硅衬底 1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅衬底 1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅衬底 1．6 硅片激光编号 1．7 硅片清洗分类及其步骤 1．8 硅片各种清洗液及其清洗第2章 热氧化第3章 热扩散第4章 离子注入及其退伙第5章 硅外延第6章 化学气相淀积第7章 光刻第8章 腐蚀和刻蚀第9章 金属化第10章 表面钝化第11章 CMOS工艺集成第13章 Bicmos工艺集成
《MOS集成电路工艺与制造技术》编著者潘桂忠。 本书技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路制造、设计等方面工程技术人员重要的参考资料，也可以作为微电子专业高年级本科生的、重要参考书，亦可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。 集成电路各种剖面结构和工艺制程图示的复制引用、转载时，必须得到本版权所有者的同意，否则将依法追究责任。 《MOS集成电路工艺与制造技术》编著者潘桂忠。 《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀／N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其规范号和工艺序号(i)得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll～13章介绍了CMOS和LV／Hv兼容CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结构相对应。
| 书籍详细信息 | |||
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| 出版地 | 上海 | 出版单位 | 上海科学技术出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 40.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 26 × 19 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 506 | 印数 | |
MOS集成电路工艺与制造技术是上海科学技术出版社于2011.9出版的中图分类号为 TN432.05 的主题关于 MOS集成电路－集成电路工艺 的书籍。