晶体管原理与设计

晶体管原理与设计

陈星弼, 张庆中, 编著

出版社:电子工业出版社

年代:2006

定价:32.5

书籍简介:

本书全面系统地介绍了半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本原理和工作特性,包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性,以及器件的SPICE模型。本书还介绍了双极晶体管的设计方法和制造中的问题,并附有各种图表以供参考。书中提供大量习题,供读者巩固以加深对所学知识的理解。

作者介绍:

陈星弼,男,1931年1月出生于上海,毕业于重庆永川国立十六中学(现名为北山中学),1952年毕业于同济大学,后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授,英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。

书籍目录:

第一章 半导体器件基本方程

半导体器件基本方程的形式

基本方程的简化与应用举例

参考文献

第二章 PN结

PN结的平衡状态

PN结的直流电流电压方程

准费米能级与大注人效应

PN结的击穿

PN结的势垒电容

PN结的交流小信号特性与扩散电流

PN结的开关特性

习题

参考文献

第三章 双极结型晶体管

双极结型晶体管基础

均匀基区晶体管的电流放大系数

缓变基区晶体管的电流放大系数

双极晶体管的直流电流电压方程

双极晶体管的反向特性

基极电阻

双极晶体管的功率特性

电流入大系数与频率的关系

高频小信号电流电压方程与等效电路

功率增益和最高振荡效率

……

第四章 双极晶体管的设计

第五章 绝缘栅场效应晶体管

附录

内容摘要:

《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性,包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性,以及器件的SPICE模型。

编辑推荐:

《晶体管原理与设计》(第2版)适合作为高等学校“电子科学与技术”、“集成电路设计与集成系统”、“微电子学”等本科专业相关课程的教材,也可供其他相关专业本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787121022685
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出版地北京出版单位电子工业出版社
版次2版印次1
定价(元)32.5语种简体中文
尺寸26装帧平装
页数印数 5000

书籍信息归属:

晶体管原理与设计是电子工业出版社于2006.02出版的中图分类号为 TN32 的主题关于 晶体管-理论-高等学校-教材 ,晶体管-设计-高等学校-教材 的书籍。