出版社：冶金工业出版社
年代：2010
定价：70.0
本书全面系统介绍了有关锗晶体生长、长入缺陷和工艺导致缺陷、不同材料、工艺相关问题直至最现代的ULSI器件等所有方面。第一章至第七章更多考虑引导性叙述，包括基础材料、缺陷和器件等内容。第八章到第十二章则偏重应用和工艺技术。最后在第十三章进行总结并展现了锗作为微电子材料的前景。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 半导体锗材料与器件站内查询相似图书 | ||
| 9787502451752 如需购买下载《半导体锗材料与器件》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
| 出版地 | 北京 | 出版单位 | 冶金工业出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 70.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | 1200 | |
(美) 施敏, 李明逵, 著
(美) 施敏, 著
吕淑媛, 刘崇琪, 罗文峰, 编著
(捷) 本达 (Benda,V.) , (英) 格兰特 (Grant,J.G.A.D.) , 著
黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜, 编著
肖奇, 编著
(美) 尼曼 (Neamen,D.A.) , 著
(瑞士) 林德 (Linder,S.) , 著
(美) 皮埃罗 (Pierret,R.F.) , 著