HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究

书籍简介:

本书主要结合作者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。第二三章介绍了衬底及V/III对GaN单晶生长动力学及晶体质量的影响，优化了GaN单晶生长工艺；第四五章介绍了采用低温缓冲层技术分别在并在蓝宝石和SiC衬底上生长获得自支撑GaN单晶的方法；第六章介绍了高温退火法在表征GaN单晶位错方面的应用，第七八章在第六章的基础上提出了高温退火法处理衬底，获得自支撑GaN单晶的方法；第九章介绍了对衬底进行两步腐蚀获得自支撑GaN单晶的方法。

书籍规格:

书籍信息归属:

HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究是东北大学出版社于2019.9出版的中图分类号为 O782 的主题关于 单晶－晶体生长－研究 的书籍。