出版社：国防科技大学出版社
年代：2015
定价：25.0
本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面对进行了研究，包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固站内查询相似图书 | ||
| 9787567304116 如需购买下载《CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
| 出版地 | 长沙 | 出版单位 | 国防科技大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 25.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 20 × 14 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固是国防科技大学出版社于2015.9出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 CMOS电路－模拟集成电路 的书籍。