出版社:上海科学技术出版社
年代:2009
定价:58.0
本书采用集成电路剖面结构技术,全面地介绍 MOS 集成电路结构和典型集成电路制造技术。内容包括 PMOS(E/E型﹑E/D型),NMOS (E/E型﹑E/D型),CMOS (P-Well﹑N-Well﹑Twin-Well), LV/HV 兼容 CMOS, BiCMOS, LV/HV 兼容 BiCMOS以及 LV/HV 兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路各种元器件工艺剖面结构,从而建立了元器件工艺剖面结构高达120 余种基本单元库。根据基本单元库描绘出高达 360 余种电路芯片工艺剖面结构。根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术,介绍了40余种典型集成电路制造技术,并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。这是国内外有关集成电路书籍中很难见到的。
书籍详细信息 | |||
书名 | MOS集成电路结构与制造技术站内查询相似图书 | ||
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出版地 | 上海 | 出版单位 | 上海科学技术出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 58.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 26 × 0 | 装帧 | 平装 |
页数 | 409 | 印数 |
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