MOS集成电路结构与制造技术

MOS集成电路结构与制造技术

潘桂忠, 编著

出版社:上海科学技术出版社

年代:2009

定价:58.0

书籍简介:

本书采用集成电路剖面结构技术,全面地介绍 MOS 集成电路结构和典型集成电路制造技术。内容包括 PMOS(E/E型﹑E/D型),NMOS (E/E型﹑E/D型),CMOS (P-Well﹑N-Well﹑Twin-Well), LV/HV 兼容 CMOS, BiCMOS, LV/HV 兼容 BiCMOS以及 LV/HV 兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路各种元器件工艺剖面结构,从而建立了元器件工艺剖面结构高达120 余种基本单元库。根据基本单元库描绘出高达 360 余种电路芯片工艺剖面结构。根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术,介绍了40余种典型集成电路制造技术,并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。这是国内外有关集成电路书籍中很难见到的。

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书籍详细信息
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9787532399901
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出版地上海出版单位上海科学技术出版社
版次1版印次1
定价(元)58.0语种简体中文
尺寸26 × 0装帧平装
页数 409 印数

书籍信息归属:

MOS集成电路结构与制造技术是上海科学技术出版社于2009.11出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 MOS集成电路 的书籍。