集成电路导论

集成电路导论

杨之廉, 许军, 编著

出版社:清华大学出版社

年代:2011

定价:28.0

书籍简介:

本书在简述了集成电路的诞生、发展和未来后,首先介绍了半导体特性和PN结,晶体管工作原理,集成电路中的器件结构。

书籍目录:

第1章 绪言

1.1 什么是半导体器件

1.2 什么是集成电路和微电子学

1.3 集成电路的诞生

1.4 集成电路的发展

1.4.1 应用的驱动

1.4.2 集成度的提高

1.4.3 摩尔定律

1.4.4 专用集成电路和专用的标准产品

1.4.5 集成电路分类

1.5 集成电路的未来

1.6 微电子技术与其他学科相结合

第2章 半导体基本特性与PN结

2.1 半导体的特性

2.2 量子力学简介

2.2.1 能级与能带

2.2.2 电子与空穴

2.2.3 N型半导体和P型半导体

2.3 PN结

2.3.1 平衡状态下的PN结

2.3.2 正向状态下的PN结

2.3.3 反向状态下的PN结

2.3.4 PN结电容(空间电荷区电容)

2.4 欧姆接触

第3章 晶体管工作原理

3.1 二极管

3.1.1 二极管的电流与电压特性

3.1.2 二极管工作时管内少数载流子的分布情况

3.1.3 扩散电容

3.2 双极型晶体管

3.2.1 双极型晶体管的基本结构

3.2.2 共基极接地方式

3.2.3 共发射极接地方式

3.2.4 三极管的简化大信号模型

3.2.5 三极管的小信号放大效应

3.3 金属一氧化物一半导体场效应晶体管

3.3.1 MOS场效应晶体管的基本结构

3.3.2 反型层的形成与阈值电压

3.3.3 MOS管中的电流与电压关系

3.3.4 衬底偏置调制效应

3.3.5 MOS管的简单模型

3.3.6 MOS管的几种类型

3.3.7 MOS管的放大效应

第4章 集成电路中的器件结构

4.1 电学隔离的必要性和方法

4.2 二极管的结构

4.3 双极型晶体管的结构

4.4 MOS场效应晶体管的结构

4.4.1 场氧化层的作用

4.4.2 CMOS电路的结构

4.5 电阻的结构

4.6 电容的结构

4.7 接触孔、通孔和互连线

第5章 集成电路芯片制造技术

5.1 工艺制造中的核心步骤

5.2 窗口、图形的确定与掩模版的作用

5.3 各主要工艺技术

5.3.1 热氧化工艺

5.3.2 热扩散掺杂工艺

5.3.3 快速热处理

……

第6章 数字电路中的基本门电路

第7章 存储器类集成电路

第8章 微处理器

第9章 模拟集成电路中的基本单元

第10章 集成运算放大器

第11章 数据转换器

第12章 专用集成电路和可编程集成电路

第13章 设计流程和设计工具

第14章 集成电路的测试与封装

中外文参考书

参考文献

内容摘要:

本书在简述集成电路的诞生、发展和未来后,首先介绍了半导体基本特性与PN结,晶体管工作原理,集成电路中的器件结构,集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤; 然后重点讨论了数字电路中的基本门电路、存储器类集成电路、微处理器,以及模拟集成电路中的基本单元、集成运算放大器、数据转换器; 同时介绍了专用集成电路和可编程集成电路; 最后讨论了芯片的设计流程和设计工具,以及集成电路的测试与封装。本书说理清楚,内容深入浅出,与实际联系紧密,易于自学。可作为大专院校微电子学和半导体专业学生的概论课教材,也可作为各类理工科专业和部分文商科专业本科生的普及性教材,还可作为各类高级技术和管理人士学习集成电路知识的入门参考书。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787302262091
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出版地北京出版单位清华大学出版社
版次2版印次1
定价(元)28.0语种简体中文
尺寸26 × 19装帧平装
页数 187 印数 4000

书籍信息归属:

集成电路导论是清华大学出版社于2011.8出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 集成电路 的书籍。