出版社:机械工业出版社
年代:2018
定价:75.0
本书概述现代CMOS晶体管的技术发展,提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件,重点论述了具有更陡峭亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。本书适合作为电子信息类专业与工程等专业的教材,也可作为相关专业人士的参考书。
书籍详细信息 | |||
书名 | CMOS及其他先导技术站内查询相似图书 | ||
丛书名 | 电子电气工程师技术丛书 | ||
9787111593911 如需购买下载《CMOS及其他先导技术》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 北京 | 出版单位 | 机械工业出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 75.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 19 × 24 | 装帧 | 平装 |
页数 | 420 | 印数 | 3000 |
CMOS及其他先导技术是机械工业出版社于2018.3出版的中图分类号为 TN432.02 的主题关于 CMOS电路-电路设计 的书籍。
(美) 拉扎维 (Razavi,B.) , 著
(美) 毕查德·拉扎维 (Behzad Razavi) , 著
(美) 霍金斯 (Hawkins,C.) , 等著
尹飞飞, 等编著
温德通, 编著
(美) 格里高利 (Gregorian,R.) , 著
(美) 贝克 (Baker,R.J.) , 著
(西) 艾尔瓦拉多, (西) 毕思图, (西) 艾丁, 著
(美) 贝克 (Baker,R.J.) , 著