倒装芯片封装下的填充流动研究

前言

第1章芯片封装简介

1．1芯片(集成电路)的封装

1．2引线键合芯片封装技术

1．3倒装芯片封装技术

1．4倒装芯片下填充材料的填充方法

1．4．1传统的下填充方法

1．4．2不流动下填充方法

1．4．3压力注入下填充方法

1．5小结

参考文献

第2章封装材料的流变特性

2．1流体的类型

2．1．1非牛顿流体的分类

2．1．2流动断面尺寸对牛顿流体的影响

2．2与时间无关的黏性流体的本构方程

2．2．1幂函数本构方程

2．2．2Cross模型

2．2．3CarreauYasuda模型

2．2．4Bingham模型

2．2．5HerschelBulkley模型

2．3表面张力

2．3．1Laptace方程

2．3．2Young方程

2．3．3平行平板间毛细流动的作用力

2．4封装材料的实验研究

2．4．1锥一板流变仪

2．4．2流体的黏性系数

2．4．3流体的表面张力和湿润角

2．5小结

参考文献

第3章下填充流动的Washburn模型

3．1流体流动基本方程

3．1．1连续性方程

3．1．2动量方程

3．1．3能量方程

3．2下填充流体流动的Washburn模型

3．3下填充流体流动的HanWang模型

3．4小结

参考文献

第4章下填充材料的不稳定流动特性研究

4．1下填充材料的不稳定流动模型

4．2填充时间对流动前端的影响

4．3倒装芯片下填充流动的焊球阻力

4．4应用动态湿润角的倒装芯片下填充流动解析分析模型

4．5倒装芯片下填充流动解析分析模型与实验结果的比较

4．5．1黏性系数

4．5．2平衡状态的湿润角和表面张力系数

4．5．3剪应变

4．5．4结果与讨论

4．6小结

参考文献

第5章下填充流动的非牛顿流体解析分析模型

5．1平行平板下填充流动的解析分析模型(模型I)

5．2倒装芯片下填充流动的解析分析模型(模型Ⅱ)

5．3小结

参考文献

第6章下填充流动的实验研究

6．1平行平板下填充流动的实验装置

6．2Washburn模型的实验验证

6．3解析分析模型I的实验验证

6．3．1下填充流体及特性参数

6．3．2实验结果与讨论

6．4解析分析模型Ⅱ的实验验证

6．4．1实验装置与方法

6．4．2实验结果与讨论

6．5小结

参考文献

第7章下填充流动的数值模拟分析

7．1引言

7．2HeleShaw模型

7．2．1非常缓慢的流动

7．2．2Hele-Shaw流动

7．2．3广义Hele-Shaw模型

7．3倒装芯片的数值模拟分析

7．3．1下填充流体流动的数值分析模型

7．3．2下填充流体流动的数值模拟分析

7．4下填充流动数值分析模型的实验验证

7．4．1平行平板下填充流动的实验验证

7．4．2倒装芯片下填充流动的实验验证

7．5下填充流动数值模型的模拟分析研究

7．6小结

参考文献

第8章倒装芯片焊球排列方式的优化设计

8．1临界间距

8．2下填充流动时间的影响因素

8．2．1焊球中心距对下填充流动时间的影响(不同间隙高度)

8．2．2焊球中心距对下填充流动时间的影响(不同焊球直径)

8．2．3焊球直径对下填充流动时间的影响(不同焊球中心距)

8．2．4焊球直径对下填充流动时间的影响(不同间隙高度)

8．2．5焊球外表面间距对下填充流动时间的影响(不同焊球直径)

8．3焊球间距对下填充时间影响的数值模拟分析

8．3．1焊球间距对流动前端分布和填充时间的影响

8．3．2数值模拟分析与实验观测结果的比较

8．4倒装芯片焊球排列方式的优化设计

8．4．1下填充流动时间的无因次分析

8．4．2无因次临界间距的确定

8．4．3倒装芯片焊球排列方式的优化设计

8．5温度对下填充流动的影响

8．6小结

参考文献

第9章实验结果的不确定度分析

9．1引言

9．2基本概念和定义

9．3高斯分布

9．3．1高斯分布的计算公式

9．3．2高斯分布的置信区间

9．4实验结果的不确定度分析

9．4．1实验样本空间的统计参数

9．4．2实验样本空间的置信区间

9．4．3非正常实验数据的剔除

9．4．4实验结果的不确定度

9．5下填充流动实验结果的不确定度分析

9．5．1平行平板下填充流动前端实验结果的不确定度(模型I)

9．5．2倒装芯片下填充流动前端实验结果的不确定度(模型Ⅱ)

9．6小结

参考文献

第10章数值模拟分析的有限元法简介

10．1引言

10．2加权余量法和Galerkin近似方法

10．3单元的划分

10．4插值函数

IO．4．1双线性矩形单元的插值函数

10．4．2二次矩形单元的插值函数

10．5自然坐标系

10．5．1等参数单元变换

10．5．2自然坐标系

10．6数值积分

10．7用Galerkin方法求解微分方程近似解

10．7．1微分方程的离散化

10．7．2有限单元法求解微分方程近似解应用举例

10．8小结

参考文献

附录A基本方程

附录B统计计算表

附录c倒装芯片下填充流动数值模拟分析的ANsYs软件输入程序

　　本书分析讨论了目前在倒装芯片下填充流动中的主要理论分析模型，详细研究了封装材料的流变特性、不稳定流动过程、焊球阻力等因素对下填充流动的影响。通过分析研究现有倒装芯片下填充流动模型存在的不足，提出了新的下填充流动的解析和数值分析模型，并且用实验方法对所建立的解析和数值分析模型进行了验证。在模拟分析下填充流动特性的基础上，提出了焊球临界间距的概念和倒装芯片焊球排列方式的优化设计方法。　　本书介绍了倒装芯片下填充流动近年来的主要研究成果。内容包括芯片封装的发展和倒装芯片封装技术特点，封装材料的流变特性，倒装芯片下填充流动的主要理论分析模型，下填充材料不稳定流动特性，下填充流动的实验研究和数值模拟分析，以及焊球排列方式的优化设计，下填充流动的实验结果的不确定度分析，倒装芯片下填充流动的数值分析方法等。　　本书可作为高等院校微电子机械系统(MEMS)相关专业的大学生、研究生的参考书，也可供从事芯片封装研究和生产工作的研究人员、工程技术人员参考。