出版社:西安交通大学出版社
年代:2018
定价:128.0
本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
书籍详细信息 | |||
书名 | 模拟CMOS集成电路设计站内查询相似图书 | ||
9787569309928 如需购买下载《模拟CMOS集成电路设计》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 西安 | 出版单位 | 西安交通大学出版社 |
版次 | 2版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 128.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 23 × 17 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |
模拟CMOS集成电路设计是西安交通大学出版社于2018.11出版的中图分类号为 TN432.02 的主题关于 CMOS电路-电路设计 的书籍。
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(美) 毕查德·拉扎维 (Behzad Razavi) , 池保勇, 编译
王宇星, 主编
尹飞飞, 等编著