出版社：冶金工业出版社
年代：2009
定价：50.0
本书译自德国斯普林格出版社2004年出版的“Silicon——Evolution and Future of a Technology”，作者P.Siffert等。系统介绍了硅——地壳中含量最丰富的元素的整个发展过程，所涉及的主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件、硅补偿器件、集成电路、纳电子硅技术、纳米硅光刻技术、硅传感器等。
1导论：各种形式的硅
1.1引言
1.2从20世纪60年代到70年代初：能带
1.320世纪70年代：应用于硅的表面理论
1.420世纪80年代：硅的结构能
1.520世纪90年代：硅团簇与量子点的结构和电子性质
1.6未来展望
参考文献
第一部分半导体体硅晶体
……
第二部分多晶硅
第三部分外延、薄膜和多孔层
第四部分晶格缺陷
第五部分硅掺杂
第六部分某些杂志的作用
第七部分器件
第八部分对硅的补充：化合物半导体
第九部分新的研究领域
ListofContributors
本书系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。主要内容包括：半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、晶格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等。 本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、晶格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念；系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。其内容广泛，数据详实，可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。
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| 书名 | 硅技术的发展和未来站内查询相似图书 | ||
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| 出版地 | 北京 | 出版单位 | 冶金工业出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 50.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 24 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | 2500 | |