半导体物理学

半导体物理学

叶良修, 编著

出版社:高等教育出版社

年代:2009

定价:62.2

书籍简介:

本书共十七章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

书籍目录:

符号表

第11章载流子的散射

11.1散射率

11.2屏蔽库仑势和电离杂质散射

11.3声学波形变势散射

11.4声学波压电散射

11.5光学波形变势散射和等价谷间散射

11.6极性光学波及其散射

11.7等离子体振荡和等离子体激元散射

11.8载流子之间的散射

11.9其它晶格缺陷的散射

11.10半导体中的各种散射机制

第11章参考文献

第12章半导体中的热现象

12.1半导体的热导

12.2热电效应及其相互联系

12.3温差电动势率

12.4热磁效应

12.5声子曳引效应

第12章参考文献

第13章复杂能带中的输运现象

13.1多谷带的电导、霍尔效应和磁阻

13.2半导体中的压阻效应

13.3声电效应

附录13.1Herring-Vogt变换

第13章参考文献

第14章热载流子和相关现象

14.1热载流子和载流子温度模型

14.2能量弛豫机制和能量损失率

14.3蒙特卡罗模拟

14.4和谷间转移相关的热载流子输运现象

14.5雪崩击穿和碰撞电离

14.6热载流子的扩散

14.7激光产生的热载流子的弛豫

14.8研究载流子动态过程的超快光谱方法

14.9量子阱中热载流子的弛豫

14.10量子阱中热激子的动态过程

14.11量子点中电子空穴的弛豫

附录14.1第二类修正贝塞尔函数

第14章参考文献

第15章强磁场输运和磁光现象

15.1磁量子化和自旋分裂

15.2纵向振荡磁阻

15.3横向振荡磁阻

15.4量子霍尔效应

15.5回旋共振

15.6磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻

15.7振荡磁吸收

15.8几种其它磁光效应

第15章参考文献

第16章半导体中自旋相关的现象

16.1自旋及其在磁场中的行为

16.2自旋-轨道相互作用

16.3稀磁半导体及其铁磁性

16.4电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象

16.5自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象

16.6自旋极化的电注入和探测

16.7自旋极化的弛豫

16.8核自旋超精细相互作用

16.9自旋和量子计算

16.10自旋共振和自旋-核双共振在半导体中的应用

第16章参考文献

第17章非晶态半导体

17.1非晶态半导体的结构

17.2非晶态半导体中的电子状态

17.3非晶态半导体中的输运现象

17.4非晶态半导体的光吸收

17.5非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应

17.6硫系非晶态半导体

第17章参考文献

索引

《半导体物理学(上册)》的若干修改

感谢

内容摘要:

  本书共十七章,分上下两册出版。本册为下册,主要收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。  和原书相比,本书新增加了一章:“半导体中自旋相关的现象”,这是现今半导体物理中发展颇为迅速的一个重要领域。  本书共十七章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表而和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。本书可供已学过同体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

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书籍详细信息
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9787040266252
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出版地北京出版单位高等教育出版社
版次2版印次1
定价(元)62.2语种简体中文
尺寸24装帧精装
页数印数 5000

书籍信息归属:

半导体物理学是高等教育出版社于2009.06出版的中图分类号为 O47 的主题关于 半导体物理学-高等学校-教材 的书籍。