纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测

书籍简介:

设计方法和工艺技术的革新使得集成电路的复杂度持续增加。现代集成电路（IC）的高复杂度和纳米尺度特征极易使其在制造过程中产生缺陷，同时也会引发性能和质量问题。本书包含了测试领域的许多常见问题，比如制程偏移、供电噪声、串扰、电阻性开路/电桥以及面向制造的设计（DfM）相关的规则违例等。本书也旨在讲述小延迟缺陷（SDD）的测试方法，由于SDD能够引起电路中的关键路径和非关键路径的瞬间时序失效，对其的研究和筛选测试方案的提出具有重大的意义。本书分为4个部分：第1部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成（ATPG）；第2部分关于全速测试，并且提出了一种超速测试的测试方法用于检测SDD；第3部分介绍了一种SDD测试的替代方案，可以在ATPG和基于电路拓扑的解决方案之间进行折衷；第4部分介绍了SDD的测试标准，以量化的指标来评估SDD覆盖率。本书内容由简入深，对SDD测试全面展开，有助于提高读者的理解和掌握。

书籍规格:

书籍信息归属:

纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测是机械工业出版社于2015.12出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 纳米材料－MOS集成电路－缺陷检测 的书籍。