ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用

书籍简介:

ZnO是一种宽禁带II—VI族直接带隙极性半导体材料。氧化锌同是一种具有六方结构的宽禁带半导体材料。其室温下的禁带宽度为3.37 eV，特别是它的激子结合能高达60 meV，氧化锌在目前常用的半导体材料中首屈一指。本书主要讲述的是ZnO掺杂半导体材料的性能研究及其应用，有利于促进ZnO从研究走向应用，从材料走向器件，服务于现代社会。

书籍规格:

书籍信息归属:

ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用是东北师范大学出版社于2018.6出版的中图分类号为 TN304.2 的主题关于 氧化锌－氧化物半导体－半导体材料－性能－研究 的书籍。