出版社：西安电子科技大学出版社
年代：2019
定价：23.0
能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性，发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移丰模型， 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 硅基应变半导体物理站内查询相似图书 | ||
| 9787560652948 如需购买下载《硅基应变半导体物理》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
| 出版地 | 西安 | 出版单位 | 西安电子科技大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 23.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 26 × 19 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
硅基应变半导体物理是西安电子科技大学出版社于2019.4出版的中图分类号为 O47 的主题关于 硅基材料－半导体物理学－研究 的书籍。