硅基应变半导体物理

硅基应变半导体物理

宋建军, 杨雯, 赵新燕, 著

出版社:西安电子科技大学出版社

年代:2019

定价:23.0

书籍简介:

能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性,发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章,主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容,重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移丰模型, 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。

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9787560652948
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出版地西安出版单位西安电子科技大学出版社
版次1版印次1
定价(元)23.0语种简体中文
尺寸26 × 19装帧平装
页数印数

书籍信息归属:

硅基应变半导体物理是西安电子科技大学出版社于2019.4出版的中图分类号为 O47 的主题关于 硅基材料-半导体物理学-研究 的书籍。