出版社：哈尔滨工业大学出版社
年代：2013
定价：110.0
本册由9章组成，介绍1氧化镁(采用)，2闪锌矿硫化镁(β-MgS)，3闪锌矿硒化镁(β-MgSe)，4闪锌矿镁碲化(β-MgTe)，5 氧化锌（ZnO），6纤锌矿硫化锌(α-ZnS)，7立方闪锌矿(β-ZnS)，8硒化锌(ZnSe)，9碲化锌(ZnTe)，9种化合物的结构属性、热性能、弹性、声子和晶格振动性质、集成效应和相关属性、能带、能带结构、电子和孔有效质量、电子形变势、电子亲和力和肖特基势垒高度、光学特性、电光和非线性光学特性、载体运输属性等。
Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
10 Wurtzite Gallium Nitride（a—GaN）
10.1 Structural Properties / 233
10.1.1 Ionicity / 233
10.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight / 233
10.1.3 Crystal Structure and Space Group / 234
10.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters / 234
10.1.5 Structural Phase Transition / 235
10.1.6 Cleavage Plane / 235
10.2 Thermal Properties / 236
10.2.1 Melting Point and Its Related Parameters / 236
10.2.2 Specific Heat / 236
10.2.3 Debye Temperature / 237
10.2.4 Thermal Expansion Coefficient / 238
10.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity / 239
10.3 Elastic Properties / 240
10.3.1 Elastic Constant / 240
10.3.2 Third—Order Elastic Constant / 241
10.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
……
11 Cubic Gallium Nitride （β—GaN）
12 Gallium Phosphide （GAP）
13 Gallium Arsenide （GaAs）
14 Gallium Antimonide （GaSb）
15 Indium Nitride （INN）
16 Indium Phosphide （InP）
17 Indium Arsenide （InAs）
18 Indium Antimonide （InSb）
Cubic Gallium Nitride (β-GaN);Gallium Phosphide (GAP);Gallium Arsenide (GaAs);Gallium Antimonide (GaSb);Indium Nitride (INN);Indium Phosphide (InP);Indium Arsenide (InAs);Indium Antimonide (InSb)等。
| 书籍详细信息 | |||
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| 出版地 | 哈尔滨 | 出版单位 | 哈尔滨工业大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 110.0 | 语种 | 英文 |
| 尺寸 | 23 × 19 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
半导体物理性能手册是哈尔滨工业大学出版社于2014.1出版的中图分类号为 O472-62 的主题关于 半导体材料－物理性能－手册－英文 的书籍。
(日) 足立贞夫, 主编
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李立碑, 孙玉福, 主编
(德) 马德朗 (Madelung,O.) , 主编
(德) 马德朗 (Madelung,O.) , 主编
(美) 莱文斯坦 (Levinstein,M.E.) 等, 编
季振国, 编著