出版社:化学工业出版社
年代:2012
定价:58.0
本书介绍了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的基本结构和制备技术,讨论了其市场潜力和发展简史,论述了其构成材料及能带结构。分步详解其制备工艺,包括抛光、腐蚀、制绒、本征层、背电场、减反射层及金属层沉积等;对其结构合理性进行论证。
H/c-Si Heterocontact Cell with Inverted Geometry 4.6 Interdigitated HIT Cell5 Problems and Challenges 5.1 Choice of the Base Material, Impact of the Doping, n/p Versus p/n 5.2 Surface States 5.3 Surface Passivation 5.4 PECV-Deposited Emitter and Back Surface Field6 Measurement Techniques 6.1 Absorption, Reflection, and Transmission 6.2 Excess Charge Carrier Lifetime 6.3 Electroluminescence 6.4 a-Si Characterization 6.5 Electronic Device Characterization7 Simulation 7.1 AFORS-HET 7.2 Comparison with Experiments8 Long-Term Stability and Degradation 8.1 Long-Term Stability 8.2 Radiation Hardness9 State of the Art10 Silicon-Based Heterojunction Solar Cells in China 10.1 Introduction of the Active Groups in this Area in China. 10.2 Experimental Studies 10.3 Theoretical SimulationReferences
非晶硅/晶体硅异质结太阳电池(Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojuncion Solar Cells)是太阳电池中深具代表性的一类,具有开路电压高、填充因子高、转换效率高等优点,具有广阔的技术进步空间和市场发展前景。 沃尔夫冈·瑞纳·法赫纳主编的《非晶硅晶体硅异质结太阳电池(精)》介绍了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的基本结构和制备技术,讨论了其市场潜力,概述了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的发展历史,论述了其构成材料及能带结构,分步详解了其制备工艺,包括抛光、腐蚀、制绒、本征层、背电场、减反射层及金属层沉积等;本书还对其结构的合理性进行了论证。非晶硅/晶体硅异质结太阳电池现阶段的主要问题及挑战有:基础材料的选择、n/p结构或者p/n结构的选择,表面缺陷态、晶硅表面钝化效果的优化、发射极和背电场层。对于测试分析技术,本书部分列举了反射、透过、微波测试技术、光学及光电测试、椭偏仪、拉曼光谱、光/暗IV曲线、量子效率、光诱导电流等。本书还采用AFORS-HET软件模拟分析太阳电池的性能并与实验相比较验证,并对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的衰减特性和耐辐射特性进行了测试。本书结尾列举了当前实验室研究所获得的最优太阳电池效率和中国目前相关研究和产业现状。 本书可供从事新能源材料、太阳能光伏以及半导体材料等领域的科技工作者和企业工程师作为参考,也可作为大专院校相关专业师生的教学参考书。
书籍详细信息 | |||
书名 | 非晶硅/晶体硅异质结太阳电池站内查询相似图书 | ||
9787122159359 如需购买下载《非晶硅/晶体硅异质结太阳电池》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息,请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
出版地 | 北京 | 出版单位 | 化学工业出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 58.0 | 语种 | 英文 |
尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |