半导体物理与测试分析

第1章 半导体的基本性质

1.1 半导体特征与晶体结构

1.1.1 半导体

1.1.2 半导体材料的基本特性

1.1.3 半导体的晶体结构

1.1.4 化合物半导体的极性

1.2 半导体的能带

1.2.1 原子的能级和晶体的能带

1.2.2 半导体中电子的状态和能带

1.3 半导体中电子的运动

1.4 典型半导体的能带结构

1.4.1 硅和锗的能带结构

1.4.2 砷化镓的能带结构

1.5 半导体材料简介

1.5.1 元素半导体

1.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

1.5.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体

1.5.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体

1.5.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体

1.5.6 氧化物半导体

1.5.7 多元化合物半导体

第2章 半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质

2.1.2 施主杂质和施主能级

2.1.3 受主杂质和受主能级

2.1.4 杂质的补偿作用

2.1.5 深能级杂质

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

2.3 缺陷和位错能级

2.3.1 缺陷

2.3.2 位错

2.4 硅单晶中位错、层错的观察

2.4.1 位错

2.4.2 层错

2.4.3 位错和层错的观察

第3章 平衡态半导体中载流子的统计分布

3.1 费米能级及载流子的统计分布

3.1.1 费米分布函数

3.1.2 玻耳兹曼分布函数

3.1.3 半导体载流子统计分布

3.1.4 半导体载流子浓度

3.1.5 载流子浓度乘积

3.2 本征半导体的载流子浓度

3.3 杂质半导体的载流子浓度

3.3.1 杂质能级上的量子态

3.3.2 载流子浓度

3.3.3 多数载流子浓度与少数载流子浓度

3.4 费米能级随温度的变化关系

3.4.1 杂质半导体载流子浓度与温度的关系

3.4.2 杂质半导体费米能级与温度及杂质浓度的关系

3.5 简并半导体

3.5.1 筒并半导体中载流子浓度

3.5.2 简并化的条件

3.5.3 禁带变窄效应

3.6 杂质浓度及其分布的测量

第4章 半导体的导电性

4.1 载流子的运动

4.1.1 欧姆定律

4.1.2 漂移运动和迁移率

4.1.3 电导率和迁移率

4.1.4 载流子散射

4.1.5 半导体的主要散射机构

4.1.6 其他因素引起的散射

4.2 杂质浓度、温度对迁移率和电阻率的影响

4.2.1 平均自由时间和散射几率的关系

4.2.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系

……

第5章 非平衡载流子运动规律

第6章 pn结

参考文献

《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。