基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究

书籍简介:

本书着重介绍了采用基于密度泛函理论的紧束缚方法分别对零维、一维和二维硅锗材料的结构和电子性质的计算模拟研究，分析了具有不同维度、不同尺寸的低维硅锗材料结构和电子性质的差异。本书可作为大学材料物理与科学工程学院材料物理化学、材料加工各专业的大学生与研究生的选修课教材，同时可供从事密度泛函理论的紧束缚方法模拟材料性能研究的科研人员参考使用。

书籍规格:

书籍信息归属:

基于密度泛函数束缚方法的低维硅锗材料结构与电子性质模拟研究是兵器工业出版社于2019.7出版的中图分类号为 TB383 的主题关于 硅－锗－纳米材料－电子结构－研究 的书籍。