出版社：科学出版社
年代：2013
定价：79.0
本书介绍了多种自主的新型相变材料，介绍了双沟道外延二极管等方面的内容，有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题，对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值，有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展，获得重大经济效益。本书对相关领域的科技人员和研究单位提供有益参考。
《相变存储器与应用基础》介绍了多种自主的新型相变材料，介绍了双沟道外延二极管等方面的内容，有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题，对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值，有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展，获得重大经济效益。《相变存储器与应用基础》对相关领域的科技人员和研究单位提供有益参考。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 相变存储器与应用基础站内查询相似图书 | ||
| 9787030386755 如需购买下载《相变存储器与应用基础》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN | |||
| 出版地 | 北京 | 出版单位 | 科学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 79.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 24 × 17 | 装帧 | 精装 |
| 页数 | 200 | 印数 | |