半导体工艺与测试实验

前言

第1章绪论

1.1实验目的

1.2实验要求

1.3洁净室简介

1.4实验室安全与注意事项

第2章半导体工艺实验

2.1光掩模版介绍

2.2工艺流程介绍

2.3硅片清洗实验

2.4热氧化工艺实验

2.5光刻工艺实验

2.6湿法刻蚀工艺实验

2.7磷扩散工艺实验

2.8金属蒸镀工艺实验

第3章半导体材料与器件特性表征实验

3.1高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命实验

3.2四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验

3.3半导体材料的霍尔效应测量实验

3.4pn结的电容-电压（C-V）特性测试实验

3.5双极型晶体管的直流参数测试实验

3.6薄膜晶体管器件电学特性测试实验

3.7MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验

第4章综合实验

4.1半导体仿真工具SILVACO TCAD介绍

4.2工艺仿真的基本操作

4.3PMOS器件工艺仿真实验

4.4半导体器件物理特性仿真

4.5半导体器件设计实验

4.6半导体器件制备和特性测试实验

参考文献

《半导体工艺与测试实验》主要内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验。并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力。