巨磁阻器件

巨磁阻器件

(日) 广田明宏, (日) 坂上弘, (日) 猪俣浩一郎, 著

出版社:清华大学出版社

年代:2013

定价:32.0

书籍简介:

本书不仅对磁电子学的基本原理进行了深入浅出的讲解,更重要的是,对应用研究设计到的磁性材料的特性,磁多层结构的设计以及材料制备中容易出现的问题进行了详尽的阐述。还对最新出现的技术进行了全面的介绍。该书对从事磁电子学器件研究非常有帮助。一方面可以帮助研究者在较短的时间内能将铁磁理论和实际器件很好的结合起来,另一方面对实际磁多层结构材料的设计和制备有切实的指导作用。

书籍目录:

第1章 绪论

1.1 磁性传感器(传感器和读取头)

1.1.1 磁阻传感器

1.1.2 硬盘驱动器磁头

1.2 磁随机存储器(MRAM)

参考文献

第2章 巨磁阻和隧道磁阻器件物理

2.1 自旋钉扎

2.1.1 自旋钉扎的唯象理论

2.1.2 自旋钉扎的微磁理论

2.2 巨磁阻效应的自由电子模型

2.2.1 金属和金属薄膜的电导率

2.2.2 铁磁金属的电导率(两电流模型)

2.2.3 巨磁阻效应的两电流模型

2.3 隧道磁阻(TMR)器件的自由电子模型

2.3.1 隧穿电流的Simmons公式

2.3.2 铁磁隧道结

参考文献

第3章 金属多层薄膜的巨磁阻器件

3.1 交换耦合金属多层薄膜

3.1.1 金属多层薄膜中的层间耦合

3.1.2 金属多层膜的磁阻性能

3.1.3 磁阻性能对薄膜结构的依赖性

3.1.4 磁阻率的热稳定性

3.2 磁传感器

3.2.1 静态特性

3.2.2 动态特性

参考文献

第4章 自旋阀器件

4.1 自旋阀

4.1.1 交换偏置自旋阀

4.1.2 赝自旋阀

4.2 巨磁阻效应的增强

4.2.1 背层效应

4.2.2 镜面散射效应

4.3 磁头

4.3.1 读取头的设计

4.3.2 读取头的自旋阀

参考文献

第5章 隧道型巨磁阻(TMR)器件

5.1 自旋相关隧穿

5.1.1 隧道磁阻

5.1.2 自旋隧道结的制备

5.1.3 自旋隧道结的微加工

5.1.4 退火性能

5.1.5 TMR的温度依赖性

5.1.6 偏压对TMR的影响

5.1.7 双隧道结

5.2 TMR磁头

参考文献

第6章 磁性随机存储器(MRAM)

6.1 MRAM器件及其工作原理

6.1.1 早期的MRAM器件

6.1.2 基于GMR单元的MRAM器件

6.1.3 基于MTJ单元的MRAM器件

6.2 基于MTJ的MRAM架构

6.3 MRAM的特性

6.4 MTJ单元的设计

6.5 MTJ单元的自旋翻转场

6.5.1 单畴计算

6.5.2 微磁模拟

6.5.3 二维的磁化翻转

6.6 MRAM制造中存在的问题

6.6.1 集成电路的兼容性

6.6.2 MTJ单元的一致性

6.7 目前MRAM制造方面的尝试

6.8 MRAM的可扩展能力: 高存储密度的挑战

6.8.1 电阻

6.8.2 信号电压

6.8.3 写入电流

6.8.4 超顺磁性

参考文献

第7章 其他巨磁阻器件

7.1 双极自旋晶体管

7.1.1 自旋注入

7.1.2 自旋晶体管的工作原理

7.1.3 器件的性质

7.1.4 原型器件的验证

7.2 自旋场效应管

7.3 自旋阀晶体管

7.3.1 自旋阀晶体管的原理

7.3.2 器件特性

7.4 自旋相关单电子隧穿器件

7.4.1 结构和特性

7.4.2 库仑阻塞效应的TMR增强效应

7.4.3 自旋积累

参考文献

内容摘要:

《巨磁阻器件》包含了巨磁阻效应、隧道磁阻效应以及基于这两种效应的器件,从材料、工艺到器件物理,可作为凝聚态物理磁学部分和器件之间的一个桥梁。《巨磁阻器件》还介绍了一些新型的自旋电子器件。   《巨磁阻器件》的三位作者都是国际著名的磁学专家,如果仔细阅读,会发现可能其中的某一句话都是建立在大量实验研究的基础上的。因此,相信磁学和自旋电子学领域的研究人员能从《巨磁阻器件》中找到感兴趣的内容。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787302343653
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出版地北京出版单位清华大学出版社
版次1版印次1
定价(元)32.0语种简体中文
尺寸26 × 19装帧平装
页数印数 3000

书籍信息归属:

巨磁阻器件是清华大学出版社于2013.出版的中图分类号为 TN103 ,TM27 的主题关于 磁阻-磁性材料-电子器件 的书籍。