出版社：黑龙江大学出版社
年代：2009
定价：28.0
本书主要研究基于MEMS技术与CMOS工艺制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极（S）和漏极（D）的MOSFET压/磁多功能传感器，在同一芯片上采用同一敏感器件完成对压、磁信号的同时检测，从基本结构设计、工作原理、特性分析等方面进行论述，研究不同条件对传感器特性的影响，实现压力、磁传感器的集成一体化研究。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究站内查询相似图书 | ||
| 丛书名 | 黑龙江大学学术文库 | ||
| 9787811291261 《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》pdf扫描版电子书已有网友提供下载资源链接 | |||
| 出版地 | 哈尔滨 | 出版单位 | 黑龙江大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 28.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 20 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||