模拟CMOS集成电路设计

模拟CMOS集成电路设计

(美) 拉扎维 (Razavi,B.) , 著

出版社:机械工业出版社

年代:2013

定价:89.0

书籍简介:

本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。本书是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用,也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

作者介绍:

Behzad Razavi,分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室。他于1992年~1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)及1995年在斯坦福大学任副教授。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。拉扎维教授是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员。担任模拟小组委员会的主席。

书籍目录:

About the Author

Preface

Acknowledgments

1 Introduction to Analog Design

1.1 Why Analog?

1.2 Why Integrated?

1.3 Why CMOS?

1.4 Why This Book?

1.5 General Concepts

1.5.1 Levels of Abstraction

1.5.2 Robust Analog Design

2 Basic MOS Device Physics

2.1 General Considerations

2.1.1 MOSFET as a Switch

2.1.2 MOSFET Structure

2.1.3 MOS Symbols

2.2 MOS I/V Characteristics

2.2.1 Threshold Voltage

2.2.2 Derivation of I/V Characteristics

2.3 Second-Order Effects

2.4 MOS Device Models

2.4.1 MOS Device Layout

2.4.2 MOS Device Capacitances

2.4.3 MOS Small-Signal Model

2.4.4 MOS SPICE models

2.4.5 NMOS versus PMOS Devices

2.4.6 Long-Channel versus Short-Channel Devices

3 Single-Stage Amplifiers

3.1 Basic Concepts

3.2 Common-Source Stage

3.2.1 Common-Source Stage with Resistive Load

3.2.2 CS Stage with Diode-Connected Load

3.2.3 CS Stage with Current-Source Load

3.2.4 CS Stage with Triode Load

3.2.5 CS Stage with Source Degeneration

3.3 Source Follower

3.4 Common-Gate Stage

3.5 Cascode Stage

3.5.1 Folded Cascode

3.6 Choice of Device Models

4 Differential Amplifiers

4.1 Single-Ended and Differential Operation

4.2 Basic Differential Pair

4.2.1 Qualitative Analysis

4.2.2 Quantitative Analysis

4.3 Common-Mode Response

4.4 Differential Pair with MOS Loads

4.5 Gilbert Cell

5 Passive and Active Current Mirrors

5.1 Basic Current Mirrors

5.2 Cascode Current Mirrors

5.3 Active Current Mirrors

5.3.1 Large-Signal Analysis

5.3.2 Small-Signal Analysis

5.3.3 Common-Mode Properties

6 Frequency Response of Amplifiers

6.1 General Considerations

6.1.1 Miller Effect

6.1.2 Association of Poles with Nodes

6.2 Common-Source Stage

6.3 Source Followers

6.4 Common-Gate Stage

6.5 Cascode Stage

6.6 Differential Pair

Appendix A: Dual of Miller's Theorem

7 Noise

8 Feedback

9 Operational Amplifiers

10 Stability and Frequency Compensation

11 Bandgap References

12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits

13 Nonlinearity and Mismatch

14 Oscillators

15 Phase-Locked Loops

16 Short-Channel Effects and Device Models

17 CMOS Processing Technology

18 Layout and Packaging

Index

内容摘要:

《国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基准源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。
  《国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)》还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

编辑推荐:

《国外电子电气经典教材系列:模拟CMOS集成电路设计(英文版)》特色:
  ·涵盖模拟CMOS集成电路分析、设计的完整流程,是学习模拟电路设计的入门宝典。
  ·将电路的基本概念、设计原理与实际工程应用关联,理论与实际结合,激发读者的兴趣。
  ·在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时,着重观察和分析,不断地提出问题和解决问题。
  ·通过学习本书对电路的严谨分析,逐步掌握用CMOS工艺技术来设计模拟电路。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787111430278
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出版地北京出版单位机械工业出版社
版次1版印次1
定价(元)89.0语种英文
尺寸19 × 24装帧平装
页数 684 印数 3000

书籍信息归属:

模拟CMOS集成电路设计是机械工业出版社于2013.7出版的中图分类号为 TN432.02 的主题关于 CMOS电路-电路设计-教材-英文 的书籍。