出版社:清华大学出版社
年代:2004
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铁电存储器是近十余年发展的一种重量轻、抗辐照、存取速度快、寿命长,功耗低的新型存储器,有极好的应用前景。本书是关于此领域的第一本专著,内容包括铁电基础知识,铁电存储器件的设计、工艺、检测和存储物理(击穿、漏电流、开关机制、疲劳)以及铁电器件的应用。全书引用了550篇文献,概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作,其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用,既有理论又有应用(侧重前者),可作为集成电路工程师、器件物理学家的有用参考,也可以作为应用物理和工程类专业高年级本科生和研究生的教学用书或参考书。
1.导言 1.1 铁电体的基本性质:体材料 1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应2.RAM的基本性质 2.1 系统设计 2.2 实际器件 2.3 测试3.DRAM和NV-RAM的电击穿 3.1 热击穿机制 3.2 Von Hippel方程 3.3 枝晶状击穿 3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称4.漏电流 4.1 Schottky发射 4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正
1.导言 1.1 铁电体的基本性质:体材料 1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应2.RAM的基本性质 2.1 系统设计 2.2 实际器件 2.3 测试3.DRAM和NV-RAM的电击穿 3.1 热击穿机制 3.2 Von Hippel方程 3.3 枝晶状击穿 3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称4.漏电流 4.1 Schottky发射 4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正 4.3 电荷注人 4.4 空间电荷限制电流BCLC 4.5 负电阻率5.电容-电压关系C(V) 5.1 支持薄耗尽层的方面 5.2 支持完全耗尽薄的论据 5.3 Zuleeg-Dey模型 5.4 混合模型 5.5 基于XPS的能带结构以匹配关系 5.6 离子空间电荷限制电流……6.开关动力学7.电荷注入和疲劳8.频率依赖9.制备过程中的相序10. CBT族Aurivillius相层状结构11.淀积和工艺12.非破坏性出器件13.基于超导体的铁电器件:相控阵雷达和14.薄膜黏结15.电子发射和平面显示器16.光学器件17.纳米相器件18.缺点和不足习题参考文献索引
铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器,有极好的应用背景。本书是引领域的第一本专著,内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题(击穿、漏电流、开关机制、疲劳)以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献,概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作,其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用(侧重前者)。可供集成电路工程师、器件物理学家参考,也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。
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出版地 | 北京 | 出版单位 | 清华大学出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 语种 | 简体中文 | |
尺寸 | 装帧 | 平装 | |
页数 | 印数 |
铁电存储器是清华大学出版社于2004.出版的中图分类号为 TP333 的主题关于 电子计算机-存储器-基本知识 的书籍。