出版社：武汉理工大学出版社
年代：2017
定价：50.0
较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现，过渡族金属氧化物一维纳米结构具有丰富的物性。采用合适的工艺技术，可以研制出性能优良的单根纳米线器件。本书发展了一条设计和研制高灵敏性、具有良好选择性气敏纳米传感器的途径，并为新型纳米器件的设计奠定了基础。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制站内查询相似图书 | ||
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| 出版地 | 武汉 | 出版单位 | 武汉理工大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 50.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 23 × 17 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制是武汉理工大学出版社于2017.4出版的中图分类号为 TB383 ,TN304.2 的主题关于 化合物半导体－半导体材料－纳米材料－研究 的书籍。