出版社：哈尔滨工程大学出版社
年代：2020
定价：46.0
本书是一本硅基锗(Ge)材料及其光电器件方面的入门书籍。本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识，接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂，最后是硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。书可作为微电子专业的本科生及研究生的参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
| 书籍详细信息 | |||
| 书名 | 硅基锗材料生长与器件构筑站内查询相似图书 | ||
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| 出版地 | 哈尔滨 | 出版单位 | 哈尔滨工程大学出版社 |
| 版次 | 1版 | 印次 | 1 |
| 定价(元) | 46.0 | 语种 | 简体中文 |
| 尺寸 | 23 × 18 | 装帧 | 平装 |
| 页数 | 印数 | ||
硅基锗材料生长与器件构筑是哈尔滨工程大学出版社于2020.4出版的中图分类号为 TN304.2 ,TN36 的主题关于 锗－硅基材料－纳米材料－半导体光电器件－结构 的书籍。