出版社:中国电力出版社
年代:2005
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本书是一本介绍CMOS VLSI设计基本概念、设计方法和最新动态的参考书,是《CMOS VLSI设计》的第三次修订版。本书内容丰富,资料详实,对于各种技术均标出了其参考文献,以便读者查阅。每章中间都有很多范例并给出了相应解答,每章后面都附有习题,以增强读者对基本概念的理解。此外,本书的官方网站上还提供了与该课程配套的超大规模集成电路设计课程实验手册、免费CAD工具和VLSI资源。使用本书的教师还可以找到根据本书内容制作的幻灯片作为参考。
译者序
前言
第1章 概论
1.1 集成电路的短暂历程
1.2本书提要
1.3 MOS晶体管
1.4 CMOS逻辑
1.5 CMOS的制作和版图设计
1.6设计划分
1.7设计实例:一个简单的MIPS微处理器
1.8逻辑设计
1.9 电路设计
1.10物理设计
1.11设计验证
1.12制造、封装和测试
本章小结
习题
第2章 MOS晶体管理论
2.1 引言
2.2理想的I―V特性
2.3 c.V特性
2.4非线性I―V效应
2.5直流传输特性
2.6开关级RC延迟模型
2.7 常见误区
本章小结
习题
第3章 CMOS工艺技术
3.1 引言
3.2 CMOS技术
3.3版图设计规则
3.4 CMOS工艺增强技术
3.5与工艺相关的CAD问题
3.6有关制造问题
3.7常见误区
3.8历史透视
本章小结
习题
第4章 电路表征及性能评价
4.1 引言
4.2延迟估算
4.3逻辑功效与晶体管缩放
4.4功耗
4.5互连
4.6布线工程
4.7设计容限
4.8可靠性
4.9按比例缩小
4.10常见误区
4.11历史透视
本章小结
习题
第5章 电路模拟
5.1概述
5.2 SPICE模拟器简介
5.3器件模型
5.4描述器件特性
5.5电路特性的表征
5.6互连模拟
5.7常见误区
本章小结
习题
第6章 组合电路设计
……
书籍详细信息 | |||
书名 | CMOS超大规模集成电路设计站内查询相似图书 | ||
丛书名 | 国外经典计算机科学教材系列 | ||
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出版地 | 北京 | 出版单位 | 中国电力出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 语种 | 简体中文 | |
尺寸 | 26 | 装帧 | 平装 |
页数 | 印数 |
CMOS超大规模集成电路设计是中国电力出版社于2005.10出版的中图分类号为 TN47 的主题关于 超大规模集成电路-电路设计-高等学校-教材 的书籍。
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