本书介绍了化合物半导体物理的基础知识和原理。
2009.05
本书是编者在微纳光电子领域多年研究和教学基础上完成的。系统描述了硅基光电子学的基础理论、器件原理、及...
2012.8
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷（如空位氧Vo和间...
2009.02
本书为国家自然科学基金资助项目的研究成果。本书共分六章，分别为绪论、氧化锌的晶体结构与光谱特征、纳米...
2009.06
ZnO是一种宽禁带II—VI族直接带隙极性半导体材料。氧化锌同是一种具有六方结构的宽禁带半导体材料。其室温下...
2018.6
本书涉及磁性半导体材料和自旋电子学器件的相关基础知识、正电子湮没技术、界面缺陷对纳米氧化物磁性影响、...
2017.9
本书共分为6章：第1章是关于AlX(X=N, P, As)化合物的研究进展的专题介绍，引出了现阶段AlX(X=N, P, As)化合...
2020.8
本书是一本硅基锗(Ge)材料及其光电器件方面的入门书籍。本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件...
2020.4
本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括8章：第1章为概述；第2章详细...
2017.8
较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现，过渡族金属氧化物一维纳米结构...
2017.4