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氮化物－禁带－电子器件
2013年
2013
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进...
2013.2
按中图号分类
中图号G634
29057
中图号G624
15590
中图号I247.5
5421
中图号G613
5065
中图号I267
3532
中图号I227
2985
中图号J222.7
2470
中图号G613.3
1881
中图号H31
1791
中图号G634.413
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1701
中图号G624.753
1645
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中图号B848.4-49
1232
中图号I287.45
1204
中图号G624.203
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