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氧化锌－氧化物半导体－半导体材料－性能－研究
2018年
2018
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ZnO基半导体掺杂材料的性能研究及其应用
ZnO是一种宽禁带II—VI族直接带隙极性半导体材料。氧化锌同是一种具有六方结构的宽禁带半导体材料。其室温下...
2018.6
按中图号分类
中图号G634
20037
中图号G624
11545
中图号I287.8
5098
中图号G613
5046
中图号I247.5
4618
中图号I267
3445
中图号I227
3327
中图号G613.3
2170
中图号G613.2
1889
中图号I287.7
1561
中图号I287.45
1552
中图号G634.413
1522
中图号G898.2
1464
中图号J222.7
1433
中图号G624.203
1428
中图号G624.313
1342
中图号I712.85
1335
中图号G634.303
1209
中图号G624.243
1193
中图号G613.7
1187
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