半导体材料标准汇编

一、基础标准

GB/T 8756-1988 锗晶体缺陷图谱

GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 14264-2009 半导体材料术语

GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法

GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范

GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范

GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱

YS/T 28-1992 硅片包装

二、产品标准

GB/T 5238-2009 锗单晶和锗单晶片

GB/T 10117-2009 高纯锑

GB/T 10118-2009 高纯镓

GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗

GB/T 11070-2006 还原锗锭

GB/T 11071-2006 区熔锗锭

GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 12962-2005 硅单晶

GB/T 12963-2009 硅多晶

GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片

GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片

GB/T 14139-2009 硅外延片

GB/T 20228-2006 砷化镓单晶

GB/T 20229-2006 磷化镓单晶

GB/T 20230-2006 磷化铟单晶

GB/T 25074-2010 太阳能级多晶硅

GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶

GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范

GB/T 26069-2010 硅退火片规范

GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片

GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶

GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块

GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片

GB/T 29504-2013 300mm硅单晶

GB/T 29506-2013 300mm硅单晶抛光片

GB/T 29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片

GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片

GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底

GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底

GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片

GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片

YS/T 13-2007 高纯四氯化锗

YS/T 43-2011 高纯砷

YS 68-2004 砷

YS/T 99-1997 三氧化二砷

YS/T 222-2010 碲锭

YS/T 223-2007 硒

YS/T 257-2009 铟锭

YS/T 264-2012 高纯铟

YS/T 265-2012 高纯铅

YS/T 300-2008 锗精矿

YS/T 651-2007 二氧化硒

YS/T 724-2009 硅粉

YS/T 792-2012 单晶炉用碳／碳复合材料坩埚

YS/T 816-2012 高纯硒

YS/T 817-2012 高纯碲

YS/T 838-2012 碲化镉

YS/T 916-2013 高纯镉

三、管理标准

GB/T 23522-2009 再生锗原料

GB/T 23523-2009 再生锗原料中锗的测定方法

GB 29413-2012 锗单位产品能源消耗限额

GB 29447-2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额

YS 783-2012 红外锗单晶单位产品能源消耗限额

YS/T 840-2012 再生硅料分类和技术条件

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半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。