书籍简介:

本书分为七章，第一章为前言；第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术；第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造；第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术，并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高压器件新结构和耐压机理：电荷型SOI高压器件，低K型SOI高压器件，薄硅层SOI高压器件；推导获得新型SOI器件的耐压模型；给出研制步骤并分析实验结果。第五章详细介绍硅基高压器件体内场降低技术，并讨论系列新型REBULF高压器件的机理和设计方法，给出研制方法和实验结果。第六章阐述功率半导体器件发展。第七章结束语。

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	9787564732622 《功率半导体器件电场优化技术》pdf扫描版电子书已有网友提供资源下载链接,请点击下方按钮查看
出版地	成都	出版单位	电子科技大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	68.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数		印数

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书籍信息归属:

功率半导体器件电场优化技术是电子科技大学出版社于2015.12出版的中图分类号为 TN303 的主题关于功率半导体器件－电场－信息技术的书籍。