书籍简介:

本书的第一、二章涉及InN材料的基本性质、InN材料的应用及进展、制备InN薄膜的设备及样品表征方法等基础知识，也包含本书中的主要研究内容及完成主要研究内容所用分子束外延（MBE）、磁控溅射等设备的介绍及材料与器件的表征测试方法和仪器的介绍。第三章涉及磁控溅射方法制备NiO薄膜及其性能研究。第四章涉及InN外延层上NiO材料的制备及其特性研究。第五章主要涉及n—InN/p—NiO异质结器件的制备及其特性研究，该部分n—InN/p—NiO异质结器件性质在相关的光电器件中的应用有自己的特色和见解。

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书名	InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究站内查询相似图书
	9787502283100 如需购买下载《InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	北京	出版单位	中国原子能出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	25.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数	114	印数	200

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书籍信息归属:

InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究是中国原子能出版社于2017.7出版的中图分类号为 O484 的主题关于半导体膜－研究的书籍。