书籍简介:

本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；最后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。

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书籍详细信息
书名	应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术站内查询相似图书
	9787511457936 如需购买下载《应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	北京	出版单位	中国石化出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	65.0	语种	简体中文
尺寸	24 × 17	装帧	平装
页数		印数

书籍信息归属:

应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术是中国石化出版社于2020.5出版的中图分类号为 TN4 的主题关于应变－硅－纳米材料－微电子技术－电子器件－辐射 ,应变－硅－纳米材料－微电子技术－电子器件－加固的书籍。