短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征

书籍简介:

本书针对典型的短沟道器件40纳米MOSFET，从仿真分析（快速估算和精确计算），到基于半导体物理的数学建模，再到基于器件样片测量的实验研究等循序渐进的研究历程，详细介绍了短沟道器件高频噪声机理的偏置不守恒特性的揭示过程。本书的主要内容包括：研究现状分析、基于二维Monte Carlo仿真的噪声分析、基于Boltzmann方程直接求解的噪声分析、基于物理的噪声紧凑模型表征、基于测量的噪声半经验模型表征、人工智能技术在噪声建模中的应用等。本书适用于电子科学与技术、信息与通信工程、电子工程、应用物理、材料科学等研究领域的科学家、工程师及高校师生参考。

书籍规格:

书籍信息归属:

短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征是科学出版社于2020.10出版的中图分类号为 TN4 的主题关于 微电子技术－电子器件－高频－噪声－研究 的书籍。