书籍简介:

本书主要结合作者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。第二三章介绍了衬底及V/III对GaN单晶生长动力学及晶体质量的影响，优化了GaN单晶生长工艺；第四五章介绍了采用低温缓冲层技术分别在并在蓝宝石和SiC衬底上生长获得自支撑GaN单晶的方法；第六章介绍了高温退火法在表征GaN单晶位错方面的应用，第七八章在第六章的基础上提出了高温退火法处理衬底，获得自支撑GaN单晶的方法；第九章介绍了对衬底进行两步腐蚀获得自支撑GaN单晶的方法。

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书籍详细信息
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	9787551722742 如需购买下载《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	沈阳	出版单位	东北大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	48.0	语种	简体中文
尺寸	26 × 18	装帧	平装
页数		印数

书籍信息归属:

HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究是东北大学出版社于2019.9出版的中图分类号为 O782 的主题关于单晶－晶体生长－研究的书籍。