MOS集成电路结构与制造技术

书籍简介:

本书采用集成电路剖面结构技术，全面地介绍 MOS 集成电路结构和典型集成电路制造技术。内容包括 PMOS（E/E型﹑E/D型），NMOS （E/E型﹑E/D型），CMOS （P-Well﹑N-Well﹑Twin-Well）， LV/HV 兼容 CMOS， BiCMOS， LV/HV 兼容 BiCMOS以及 LV/HV 兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路各种元器件工艺剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构高达120 余种基本单元库。根据基本单元库描绘出高达 360 余种电路芯片工艺剖面结构。根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。这是国内外有关集成电路书籍中很难见到的。

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书籍详细信息
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ISBN	9787532399901 如需购买下载《MOS集成电路结构与制造技术》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	上海	出版单位	上海科学技术出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	58.0	语种	简体中文
尺寸	26 × 0	装帧	平装
页数	409	印数

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书籍信息归属:

MOS集成电路结构与制造技术是上海科学技术出版社于2009.11出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 MOS集成电路 的书籍。