硅技术的发展和未来
硅技术的发展和未来封面图

硅技术的发展和未来

(法) 希弗特 (Siffert,P.) , (德) 克瑞梅尔 (Krimmel,E.) , 编著

出版社:冶金工业出版社

年代:2009

定价:50.0

书籍简介:

本书译自德国斯普林格出版社2004年出版的“Silicon——Evolution and Future of a Technology”,作者P.Siffert等。系统介绍了硅——地壳中含量最丰富的元素的整个发展过程,所涉及的主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件、硅补偿器件、集成电路、纳电子硅技术、纳米硅光刻技术、硅传感器等。

书籍目录:

1导论:各种形式的硅

1.1引言

1.2从20世纪60年代到70年代初:能带

1.320世纪70年代:应用于硅的表面理论

1.420世纪80年代:硅的结构能

1.520世纪90年代:硅团簇与量子点的结构和电子性质

1.6未来展望

参考文献

第一部分半导体体硅晶体

……

第二部分多晶硅

第三部分外延、薄膜和多孔层

第四部分晶格缺陷

第五部分硅掺杂

第六部分某些杂志的作用

第七部分器件

第八部分对硅的补充:化合物半导体

第九部分新的研究领域

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内容摘要:

  本书系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状,并指出了今后的发展方向。主要内容包括:半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、晶格缺陷、杂质影响等多方面的内容,并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等。  本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、晶格缺陷、杂质影响等多方面的内容,并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念;系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状,并指出了今后的发展方向。其内容广泛,数据详实,可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787502445362
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出版地北京出版单位冶金工业出版社
版次1版印次1
定价(元)50.0语种简体中文
尺寸24装帧平装
页数印数 2500
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书籍信息归属:

硅技术的发展和未来是冶金工业出版社于2009.01出版的中图分类号为 TQ127.2 的主题关于 硅-研究 的书籍。