微纳尺度制造工程
微纳尺度制造工程封面图

微纳尺度制造工程

(美) 坎贝尔 (Campbell,S.A.) , 著

出版社:电子工业出版社

年代:2010

定价:66.0

书籍简介:

本书系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术,覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺,包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等。本书新增加的内容包括原子层淀积、电镀铜、浸润式光刻、纳米压印与软光刻、薄膜器件、有机发光二极管以及应变技术在CMOS工艺中的应用等,对于其他已经过时的或不再具有先进性的题材则做了适当的简化或删除处理。

作者介绍:

斯蒂芬A·坎贝尔,明尼苏达大学电子与计算机工程系的教授,该校技术研究院的杰出教授,同时兼任该校纳米制造中心和纳米结构应用中心的主任。无论是在学术界还是在工业界,他在微电子工艺制造领域都有着广泛的经验。他目前的研究领域包括半导体纳米颗粒在高性能电子器件与光电器件中的应用、先进材料、新型传感器与晶体管结构以及MEMS器件的各类应用等。

书籍目录:

第1篇 综述与题材

第1章 微电子制造引论

第2章 半导体衬底

第2篇 单项工艺1: 热处理与离子注入

第3章 扩散

第4章 热氧化

第5章 离子注入

第6章 快速热处理

第3篇 单项工艺2:图形转移

第7章 光学光刻

第8章 光刻胶

第9章 非光学光刻技术

第10章 真空科学与等离子体

第11章 刻蚀

第4篇 单项工艺3:薄膜

第12章 物理淀积:蒸发与溅射

第13章 化学气相淀积

第14章 外延生长

第5篇 工艺集

第15章 器件隔离、接触与金属化

第16章 CMOS 工艺

第17章 其他类型晶体管的工艺技术

第18章 光电子器件工艺技术

第19章 微机电系统

第20章 集成电路制造

附录I 缩写词与通用符号

附录II 部分半导体材料性质

附录III 物理常数

附录IV 单位转换因子

附录V 误差函数的一些性质

附录VI F数

索引

内容摘要:

《微纳尺度制造工程(第3版)(英文版)》是The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication 的第三版。《微纳尺度制造工程(第3版)(英文版)》系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术,覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺,包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等。《微纳尺度制造工程(第3版)(英文版)》新增加的内容包括原子层淀积、电镀铜、浸润式光刻、纳米压印与软光刻、薄膜器件、有机发光二极管以及应变技术在CMOS 工艺中的应用等,对于其他已经过时的或不再具有先进性的题材则做了适当的简化或删除处理。
《微纳尺度制造工程(第3版)(英文版)》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书,也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。

书籍规格:

书籍详细信息
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9787121118043
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出版地北京出版单位电子工业出版社
版次1版印次1
定价(元)66.0语种英文
尺寸23 × 18装帧平装
页数 660 印数

书籍信息归属:

微纳尺度制造工程是电子工业出版社于2010.9出版的中图分类号为 TN405 的主题关于 微电子技术-高等学校-教材-英文 的书籍。